Hi3516C HD摄像机解决方案

一：Hi3516C芯片功能结构图 :

相机解决方案：

二：部分原理图设计展示 ：

1EMMC

2JTAG

3Core 电源原理图

三：部分Layout细节展示

1：DDR电源部分设计

Hi3518EV20X的DDR_I/O电源管脚旁边需就近摆放去耦电容，另外，DDR_I/O电源通道上至少有一个10μF的对地滤波电容。 

DDR_Vref参考电压设计对策：为了降低DDR_Vref的噪声，将DDR_Vref电源模块在TOP层使用尽量宽的走线直接与芯片的DDR_Vref BALL连接供电，且电源模块靠近芯片管脚放置。 

DDR_PLL电源设计对策如下：

A:DDR_PLL电源设计时必须与其他电源使用磁珠（1KΩ@100Mhz）隔离； 

B:DDR_PLL电源的去耦电容禁止与其他的地共用地过孔。

2：双 MIC 输入的 MIC_BIAS 的 PCB 设计。

a.黄色为音频输入信号、白色音频输出信号，绿色为 MIC_bias 信号，蓝色为地铜 皮。表层走线参考 GND 层，且与旁边的高速数字信号进行了隔离。

3：音频输入/输出信号线的底板 PCB 设计

其中黄色为音频输入信号、白色音频输出信号，绿色为 MIC_bias 信号，蓝色为地铜 皮。表层走线参考 GND 层，且与高速数字信号进行隔离.

4：音频信号线包地与其他高速信号线隔离的 PCB 设计

中绿色为音频的走线（Top 层），蓝色为 SDIO 模块的高速数字信号线，黄色为 SDIO 模块的低速信号线（Bottom 层），黄色走线与绿色音频走线之间为音频包地过 孔，通过如此 PCB 设计实现音频信号线包地过孔与其他高速信号线隔离。

5：VI 接口需兼容对接差分和单端接口 sensor 的设计要求

A:VI 部分的 PCB 设计要求，MIPI 命名的 5 对信号线走差分线（对内等长控制± 5mil 以内，差分对间以时钟信号为基础控制±100mil 以内），阻抗控制 100Ω± 10%以内，其他信号按照单端走线，阻抗控制 50Ω±10%以内，且走线间距按 照“3W”原则控制。

B:VI 接口存在 1.8V 与 3.3V 两种电源域，防止参考电源平面时出现 1.8V 与 3.3V 电源不一致造成阻抗不匹配问题,VI 数据线、行同步、场同步信号 走线、SPI0 在顶层走线，以地平面作为参考。 

C:VI 接口选择 1.8V 电源域，其信号走线长度建议不要超过 4inch。

黄色部分的信号线为 MIPI 接口的 5 对差分线，绿色的为 VI 部分的其他单端数据 信号线，浅蓝色为 Sensor 的配置接口、复位和时钟信号线。

6：DDR 部分的走线方式，包括线宽、线距、走线长度、包地、滤波等需要严格按照硬件设计参数设计布线，DDR 颗粒的外部电阻必须选择精度为±1%的 240Ω 电阻

TOP层信号走线设计

BOTTOM层信号设计

四：器件布局

结合产品结构和热设计，器件布局对策如下

a单板上大功耗器件（Hi3516、电源部分、Sensor、网口PHY、连接器）要均匀分布，避免局部过热，影响器件可靠性。

b建议Hi3516 和电源部分靠近定位孔 放置，使单板主要热量经过螺丝孔和机壳散发到外部环境中。

c热敏感的器件（Sensor、Flash 等）尽可能远离大功耗器件，减少大功耗器件的热 量对热敏感器件的影响，（可以将 sensor 和 flash 跟大功耗器件放置在不同层），避 免敏感器件过热而影响系统稳定性和图像质量。

d将PCB 的四个螺丝孔尽可能多的露铜处理，方便PCB 和机壳充分接触。

五：走线热设计对策
a芯片使用 FULL 孔连接，以提高芯片散热效率。

bHi3516的 1.1V/1.8V/3.3V 电源和地 pin 都使用铺铜的方式连接，在保证电源通流能力的前提下，在这些铜皮上打尽可能多的过孔连接到电源和地平面，以增强芯片的散热能力。

六：Layout全图展示

设计应用：